河南东微电子材料有限公司

1.集成电路阻挡层；2.PMOS器件的迹电极材料；3.动态随机存储器DRAM和铁电随机存取存储器FRAM中电容的电极材料；4.应用在磁性随机存储器MRAM中；5.硬盘记录层不可或缺的底层材料。

• 氧化镁具有高温热稳定性、高介电性、低介电损耗及多种衬底晶格匹配良好等优点，是作为存储芯片的主要原料之一。
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• MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器，其主体结构由三层结构的磁隧道结构成：自由层，固定层和氧化层，其原理是通过改变固定层和自由层的磁矩方向性实现存储数据。其中自由层的材料是CoFeB。

• 镁是近年来可以制备并能够在自然环境中长期保存的轻质金属，金属镁在各个行业内的应用也越来越广泛，很多国防产品、民用产品都在不同程度上用到了金属镁Mg靶材是作为存储芯片的主要原料之一。

• 用于制备NiPt-硅化物触头，该触头是45nm技术节点以后最常用的硅化物。被应用于肖特基二极管(SBD)、互补金属氧化物半导体器件(CMOS)、场效应晶体管(FET)和集成电路等领域。